2.4GHz逆F類GaN HEMT功率放大器的實現
摘要:提出了一種高效率逆F類GaN HEMT功率放大器設計方法,給出了GaN HEMT大信號優化模型,并基于負載牽引、源牽引和諧波負載牽引下進行仿真,得到了晶體管最大輸出功率和最大效率下的最佳輸入和輸出阻抗。測試表明:2.4GHz下PAE為77%,輸出功率為12W。
注: 保護知識產權,如需閱讀全文請聯系南京工業職業技術學院學報雜志社
摘要:提出了一種高效率逆F類GaN HEMT功率放大器設計方法,給出了GaN HEMT大信號優化模型,并基于負載牽引、源牽引和諧波負載牽引下進行仿真,得到了晶體管最大輸出功率和最大效率下的最佳輸入和輸出阻抗。測試表明:2.4GHz下PAE為77%,輸出功率為12W。
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