基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工藝的微型CMOS五電極垂直型霍爾器件的研究
摘要：為了解決五電極垂直型霍爾器件(5CVHD)電流靈敏度較低以及器件流片迭代周期較長、成本較高的問題,基于GLOBALFOUNDRIES0.18μmBCDliteTM工藝在有限元分析軟件COMSOL中進行器件結構設計和仿真,研究器件結構和工藝參數對5CVHD性能的影響,并且選取代表性參數進行流片與測試。通過仿真和流片實測發現,減小電極長度(w)和探測電極與中間偏置電極距離(d2),增加器件長度(l)以及添加一層P型覆蓋層有助于提高5CVHD的性能,當有源區深度為7μm時,2.5μm厚度的P型覆蓋層能夠改善5CVHD的性能。
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