碳化硅功率器件封裝關鍵技術綜述及展望
摘要：碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰:傳統封裝雜散電感參數較大,難以匹配器件的快速開關特性;器件高溫工作時,封裝可靠性降低;以及模塊的多功能集成封裝與高功率密度需求等。針對上述挑戰,論文分析傳統封裝結構中雜散電感參數大的根本原因,并對國內外的現有低寄生電感封裝方式進行分類對比;羅列比較現有提高封裝高溫可靠性的材料和制作工藝,如芯片連接材料與技術;最后,討論現有多功能集成封裝方法,介紹多種先進散熱方法。在前面綜述的基礎上,結合電力電子的發展趨勢,對SiC器件封裝技術進行歸納和展望。
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