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拓?fù)浔砻娴入x激元

耿逸飛; 王鑄寧; 馬耀光; 高飛 浙江大學(xué); 現(xiàn)代光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 杭州310027; 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院; 杭州310027

摘要：集成電磁器件尺寸的小型化一直都是該領(lǐng)域發(fā)展的重要方向,具有亞波長、強(qiáng)束縛模式特性的表面等離激元電磁模式為集成電磁器件小型化提供了有力的解決方案.但是,支持表面等離激元的材料或結(jié)構(gòu)不可避免地會出現(xiàn)雜質(zhì)或者結(jié)構(gòu)缺陷,從而降低表面電磁波器件的傳輸性能.為了避免表面等離激元器件性能受到雜質(zhì)或缺陷的影響,具有魯棒傳輸特性的拓?fù)浔砻娴入x激元應(yīng)運(yùn)而生.本文首先回顧了光頻段表面等離激元和太赫茲/微波頻段人工表面等離激元的實(shí)現(xiàn)方案以及電磁特性,進(jìn)而重點(diǎn)總結(jié)了拓?fù)浔砻娴入x激元的幾種重要設(shè)計(jì)理論,并展望了拓?fù)浔砻娴入x激元的未來發(fā)展方向.

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