與Si CMOS兼容的Graphene/MoS2異質結全差分光電探測器和讀出電路
摘要:提出了一種基于Graphene/MoS2異質結的全差分光電探測器。利用標準半導體微納加工技術,制作了有效區域為2.3μm×10μm的Graphene/MoS2異質結結構,用以產生差分光電流;使用0.18μmCMOS工藝設計了差分放大與恒壓控制電路,實現光電流到電壓的轉換和放大。結果表明:在白光照射下,單個Graphene/MoS2異質結結構光響應度達2435A/W。差分光生電流經過差分放大器后,以電壓形式輸出,總光響應度加倍。該全差分光探測器基于新型二維材料,對可見光具有較高的靈敏度,在可見光探測和成像領域具有廣闊的應用前景。
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