熱處理溫度及摻硼對富硅氧化硅發光的影響
摘要：利用等離子體增強化學氣相沉積制備了未摻雜與摻硼富硅氧化硅薄膜。在高純N2氣氛中經過600℃、800℃和1100℃熱處理,發現隨著熱處理溫度的升高,富硅氧化硅薄膜的光致發光發生了明顯紅移。這表明薄膜的光致發光來源逐漸由薄膜中的發光中心演變為硅納米晶。在經過1100℃熱處理的未摻雜與摻硼樣品中,摻硼樣品光致發光強度有明顯減弱,這是由俄歇復合效應引起的。此外,在ESR測試譜中,摻硼樣品的g因子為2.0020,這表明摻硼可以在薄膜基體和硅納米晶之間的界面引入發光中心。
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