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加急見(jiàn)刊

熱處理溫度及摻硼對(duì)富硅氧化硅發(fā)光的影響

劉國(guó)華; 高宇晗; 曹佳浩; 李東升; 楊德仁 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 浙江杭州310027

摘要：利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備了未摻雜與摻硼富硅氧化硅薄膜。在高純N2氣氛中經(jīng)過(guò)600℃、800℃和1100℃熱處理,發(fā)現(xiàn)隨著熱處理溫度的升高,富硅氧化硅薄膜的光致發(fā)光發(fā)生了明顯紅移。這表明薄膜的光致發(fā)光來(lái)源逐漸由薄膜中的發(fā)光中心演變?yōu)楣杓{米晶。在經(jīng)過(guò)1100℃熱處理的未摻雜與摻硼樣品中,摻硼樣品光致發(fā)光強(qiáng)度有明顯減弱,這是由俄歇復(fù)合效應(yīng)引起的。此外,在ESR測(cè)試譜中,摻硼樣品的g因子為2.0020,這表明摻硼可以在薄膜基體和硅納米晶之間的界面引入發(fā)光中心。

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