兼具導電及抗原子氧性能的復合薄膜制備及性能
摘要：聚酰亞胺薄膜因其良好的耐熱性和絕緣性在航空航天應用廣泛,但其容易在低地球軌道受到原子氧的侵蝕,使其各項優異性能退化至喪失。首先采用原位自金屬化法對聚酰亞胺薄膜進行開環刻蝕、離子交換和熱還原后,制備出PI/Ag的復合薄膜,基于PI/Ag的復合薄膜結合刮涂的方式在表面引入抵抗原子氧侵蝕的含硅聚酰亞胺,從而制備出兩種濃度的PI/Ag/Si-PI復合薄膜。并對其進行XPS,SEM和抗原子氧輻照測試等表征,結果發現PI/Ag/Si-PI復合薄膜具有優良的抗原子氧性能,且較高濃度的效果更佳。表層Si-PI在原子氧輻照過程中形成致密的SiO2來進一步抵抗原子氧的侵蝕,從而保護與其緊挨著的下層及導電銀層,從而保證了兼具導電及抗原子氧性能的復合薄膜。
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