兼具導(dǎo)電及抗原子氧性能的復(fù)合薄膜制備及性能
摘要:聚酰亞胺薄膜因其良好的耐熱性和絕緣性在航空航天應(yīng)用廣泛,但其容易在低地球軌道受到原子氧的侵蝕,使其各項(xiàng)優(yōu)異性能退化至喪失。首先采用原位自金屬化法對(duì)聚酰亞胺薄膜進(jìn)行開環(huán)刻蝕、離子交換和熱還原后,制備出PI/Ag的復(fù)合薄膜,基于PI/Ag的復(fù)合薄膜結(jié)合刮涂的方式在表面引入抵抗原子氧侵蝕的含硅聚酰亞胺,從而制備出兩種濃度的PI/Ag/Si-PI復(fù)合薄膜。并對(duì)其進(jìn)行XPS,SEM和抗原子氧輻照測試等表征,結(jié)果發(fā)現(xiàn)PI/Ag/Si-PI復(fù)合薄膜具有優(yōu)良的抗原子氧性能,且較高濃度的效果更佳。表層Si-PI在原子氧輻照過程中形成致密的SiO2來進(jìn)一步抵抗原子氧的侵蝕,從而保護(hù)與其緊挨著的下層及導(dǎo)電銀層,從而保證了兼具導(dǎo)電及抗原子氧性能的復(fù)合薄膜。
注: 保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán),如需閱讀全文請(qǐng)聯(lián)系化學(xué)與粘合雜志社