基于CVD直接生長法的碳納米管場發射陰極
摘要：碳納米管（CNT）場發射陰極具有啟動快、分辨率高、壽命長、功耗小等優點,在多種真空電子設備與器件上,包括平板顯示器、真空測量、微波管、X射線管等得到了應用。本文討論了碳納米管陰極的主要制備方法以及存在的問題,介紹了基于化學氣相沉積法和陽極化工藝、在含催化金屬基底直接制備碳納米管冷陰極所具有強附著力特點,以及應用在X射線管等強流真空電子器件上的優勢。文章介紹了在不銹鋼基底直接生長CNT陰極的場發射性能,其開啟電場為1.46 V/μm。與常規催化金屬鍍膜層上生長的CNT陰極相比,大電流發射與穩定性顯著提高。金屬基底陽極化工藝顯著改善碳納米管結構與場發射性能。直徑2 cm的不銹鋼基底上生長的CNT具有晶體性好、分布均勻等特點,場發射性能提高。在鎳基底上生長的CNT陰極電流密度可以達到500 mA/cm~2以上。
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