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剪切磁場(chǎng)位形下電阻壁模不穩(wěn)定性的數(shù)值模擬

陳龍溪; 王進(jìn)芳; 孫哲; 邊珍珠 山東青年政治學(xué)院信息工程學(xué)院; 濟(jì)南250103; 山東省高校信息安全與智能控制重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 濟(jì)南250103; 中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所; 合肥230031

摘要：數(shù)值研究了平衡磁場(chǎng)位形對(duì)電阻壁模穩(wěn)定性的影響。研究發(fā)現(xiàn),磁場(chǎng)剪切對(duì)電阻壁模有解穩(wěn)作用,對(duì)于不同的剪切磁場(chǎng)位形,最不穩(wěn)定的電阻壁模的環(huán)向模數(shù)和極向模數(shù)不同。等離子流對(duì)電阻壁模的增長(zhǎng)有抑制作用,穩(wěn)定住電阻壁模的臨界流速度隨著磁場(chǎng)剪切率的增大而增大。電阻壁模經(jīng)線性增長(zhǎng)后,進(jìn)入非線性演化階段,最后達(dá)到飽和狀態(tài),剪切磁場(chǎng)位形下的擾動(dòng)磁能比均勻磁場(chǎng)位形下的擾動(dòng)磁能飽和度高。

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