Si在熔滲制備B4C-Si復合材料界面作用機制的第一性原理研究
摘要：采用第一性原理的方法對熔滲制備B4C-Si復合材料的界面進行了研究,通過建立Si原子在B4C晶體(0001)表面的不同占位情況,獲得了Si在熔滲制備B4C-Si復合材料界面的作用機制。結果表明,在熔滲溫度下,孤立的Si原子更容易落在B4C晶體中二十面體形成的正六邊形中心的上方,而不容易置換“C-B-C”三原子鏈里的C原子以形成Si C。Si原子在B4C晶體(0001)表面所處的位置是Si原子與表面C原子和周圍B原子的綜合作用,Si原子與C原子形成了離子鍵。上述結果為隨后降溫過程中Si原子集團與B4C晶體的結合提供了更好的晶格匹配,使得Si更容易在界面處結合。
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