Ni摻雜ZnO納米棒陣列膜的增強紫外光電響應
摘要：研究以醋酸鎳為Ni源,通過水熱方法合成不同濃度Ni摻雜的ZnO納米棒陣列膜,采用XRD、PL以及XPS等測試方法對摻雜的ZnO納米棒陣列膜進行結構表征,通過自制的光電性能平臺進行光電導性能的測試。研究結果表明,Ni的摻雜改變了ZnO晶格常數(shù)的大小。摻雜后的ZnO納米棒陣列膜的光響應度很高,其中醋酸鎳濃度為0.05mol/L的ZnO納米棒陣列膜的光響應度最高,可以達到3112.1,是純ZnO納米棒陣列膜的光響應度的38倍。Ni的摻雜使得ZnO納米棒的耗盡層寬度拓寬,降低了暗電導,從而使得光響應度增大。
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