CuBi2O4光陰極的旋涂工藝及光電化學性能研究
摘要：采用旋涂法在導電玻璃(FTO)上制備了CuBi2O4薄膜。通過調(diào)控旋涂的次數(shù),得到具有較優(yōu)光電化學性能的CuBi2O4薄膜。同時研究了多次旋涂過程中旋涂轉速、烘干溫度對制備的薄膜的均勻性的影響。實驗結果表明:采用3 000 r/min轉速,300℃的烘干溫度可以得到均勻的薄膜。旋涂層數(shù)為4層時可以得到最優(yōu)的光電催化性能,較旋涂3次的薄膜性能提升72%。
注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系遼寧化工雜志社
相關推薦
更多
