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射頻功率放大器芯片的基板聯(lián)合仿真方法比較

劉茜蕾; 戴大杰; 楊寒冰; 陳思弟; 李學(xué)建; 周憲華; 岳并蒂 廣州潤芯信息技術(shù)有限公司; 廣東廣州510663

摘要:工程上常用ADS進行射頻功率放大器裸芯片電路級設(shè)計,然后將裸芯電路原理圖或版圖與設(shè)計好的基板進行聯(lián)合仿真。常用的裸芯與基板聯(lián)合仿真方法包括使用ADS+Momentum或ADS嵌套技術(shù)或ADS+HFSS等。由于射頻電路的實際寄生很難準確模擬,在射頻功率放大器芯片的設(shè)計研制過程中,工程師們常對應(yīng)采用什么樣的基板聯(lián)合仿真方法感到困惑。本文以自主研制的工作頻率2GHz的射頻功率放大器芯片為例,從仿真器的算法理論、聯(lián)合仿真的具體建模方法、建模復(fù)雜度、仿真時間、對比實測結(jié)果等幾個方面對上述幾種常用的基板聯(lián)合仿真方法進行了比較探討,嘗試歸納總結(jié)出對實際射頻功率放大器芯片工程設(shè)計有幫助的仿真經(jīng)驗。

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