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碳化硅/氮化硅/聚丙烯復(fù)合材料的制備及介電性能研究

王新瑞; 龔業(yè)磊; 姚軍龍; 江學(xué)良; 高琳 武漢工程大學(xué); 湖北武漢430073; 江漢大學(xué); 湖北武漢430056

摘要：通過在聚丙烯（PP）中填充不同體積的氮化硅和碳化硅等導(dǎo)熱填料,制備出系列Si3N4/SiC/PP復(fù)合材料,對復(fù)合材料的介電性能進(jìn)行了測試及分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,填充加碳化硅和氮化硅填料后均能提高PP的介電常數(shù),碳化硅比氮化硅更有利于PP復(fù)合材料介電常數(shù)的增加。在PP體積比固定為50%的Si3N4/SiC/PP復(fù)合材料中,當(dāng)填料體積比Si3N4∶SiC=1∶4時(shí),其介電常數(shù)最大達(dá)到16.4,介電損耗在0.03左右。通過在聚合物基體中添加導(dǎo)熱性陶瓷填料,能夠迅速提高聚合物的介電性能,制備具有高介電常數(shù)和低介電損耗的陶瓷/聚合物復(fù)合材料。

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