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半導體前置光放大器的設計和制作要點

李洵; 左成亮; 董智星 山東大學; 山東濟南250100; 麥克馬斯特大學; 加拿大漢密爾頓L8R4K1; 華中科技大學武漢光電國家實驗室武漢光電國家研究中心; 湖北武漢430074

摘要：介紹了用于接收端探測器前置放大的半導體光放大器的核心設計要點及其與普通半導體激光器在實際制作中的幾個不同點。半導體前置光放大器的設計核心是如何抑制其中的自發輻射并被伴隨放大的噪聲,對于邊入射型的器件還要考慮其增益偏振相關性的消除。半導體光放大器一般具有少阱和低光場限制因子的長增益區結構,在這點上它與高速直調半導體激光器有著最大的區別。

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