α粒子和Kr+對CaCeTi2O7的輻照損傷的Monte Carlo模擬
摘要：為研究高能粒子輻照條件下CaCeTi2O7基體的微觀損傷機制，利用蒙特卡羅軟件包SRIM模擬α粒子和Kr+在0.1~10.0MeV入射能量范圍內，CaCeTi2O7的阻止本領、能量損失、平均投影射程和空位分布。結果表明，當不同能量的α粒子入射時，平均投影射程為0.43～40.32μm，平均一個α粒子在單位納米深度產生的空位數約為10～23個，CaCeTi2O7以電子阻止本領為主，能量主要以電離能損的方式損耗；當不同能量的Kr+入射時，平均投影射程為0.04～2.76μm，平均一個Kr+在單位納米深度產生的空位數約為106～2488個，隨著入射粒子能量的增加核阻止本領逐漸減小，電子阻止本領逐漸增加，能量損失方式由聲子能損向電離能損方式轉變。入射角度由0°增加至75°時，α粒子入射造成的損傷區深度由14.5μm減小至4.0μm，Kr+入射造成的損傷區深度由1.57μm減小至0.2μm。
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