含液晶缺陷層的Double-period結構缺陷模的電控可調特性
摘要：采用傳輸矩陣法研究含一向列相液晶缺陷層的一維Double-period第五代準周期結構缺陷模的電控可調特性.計算外加電壓與向列相液晶有效折射率的變化關系,數值模擬缺陷模波長的大小與外加電壓的變化關系以及介質層中缺陷模波長的光場分布.結果表明：隨外加電壓的增大,缺陷模波長的大小向短波方向移動.介質層中缺陷模波長的光場分布呈現出局域現象,并且光場分布主要集中在缺陷層.
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