一種亞閾值MOS管低功耗基準電壓源 侯德權; 周莉; 陳敏; 肖璟博; 劉云超; 陳杰 中國科學院微電子研究所; 北京100029; 中國科學院大學; 北京100049 摘要:設計了一種基于亞閾值區MOS管的低功耗基準電壓源。利用MOS管差分對的柵源電壓差對MOS管的柵源電壓進行溫度補償,從而得到基準輸出電壓。采用0.18μm混合信號CMOS工藝進行設計與仿真。結果表明,該基準電壓源的最小工作電壓為1.25V,在0℃~80℃溫度范圍內的溫度系數為6.096×10-5/℃。 注: 保護知識產權,如需閱讀全文請聯系微電子學雜志社
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