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應(yīng)用于MOEMS集成的TSV技術(shù)研究

胡正高; 蓋蔚; 徐高衛(wèi); 羅樂 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所; 傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 上海200050; 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所; 信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 上海200050; 中國科學(xué)院大學(xué); 北京100049

摘要：硅通孔(TSV)通過縮短互連長度可實(shí)現(xiàn)低延遲、低功耗等目的。對應(yīng)用于微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)集成的TSV工藝進(jìn)行了研究,通過ICP-DRIE參數(shù)優(yōu)化獲得了陡直TSV通孔;通過金-金鍵合及bottom-up法,實(shí)現(xiàn)了TSV的無缺陷填充;對填充后的TSV進(jìn)行電學(xué)表征,測試結(jié)果表明,單個(gè)TSV的電阻平均值為0.199Ω、相鄰兩個(gè)TSV的電容在無偏壓時(shí)為170.45fF、TSV的漏電流在100V時(shí)為9.43pA,具有良好的電學(xué)特性。

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