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坩堝下降法在新材料探索及晶體生長中的應(yīng)用

徐家躍; 申慧; 金敏; 張彥; 田甜; 陳媛芝; 周鼎; 儲耀卿 上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 晶體生長研究所; 上海201418; 中國稀土學(xué)會稀土晶體專業(yè)委員會; 中國硅酸鹽學(xué)會晶體專業(yè)委員會; 中國光學(xué)會光學(xué)材料專業(yè)委員會; 全國人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會

摘要：坩堝下降法是一種重要的晶體生長技術(shù),成功用于生長閃爍晶體鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)、聲光晶體氧化碲(TeO2)、壓電晶體四硼酸鋰(Li2B4O7)以及新型弛豫鐵電晶體等材料,并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。坩堝下降法在層狀結(jié)構(gòu)晶體、異型晶體、高通量生長等新材料探索中也有巨大的潛力。本文主要介紹我們團(tuán)隊(duì)近年來在坩堝下降法生長硒化錫(SnSe)晶體、全無機(jī)鉛鹵基鈣鈦礦晶體、高溫合金、硅酸鉍晶體高通量篩選等方面的研究結(jié)果。

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