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半導(dǎo)體技術(shù)投稿地址
半導(dǎo)體技術(shù)詳細(xì)信息
半導(dǎo)體技術(shù)
Semiconductor Technology
半導(dǎo)體技術(shù)投稿要求
半導(dǎo)體技術(shù)雜志投稿須知:
1、《半導(dǎo)體技術(shù)》文稿應(yīng)資料可靠、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、具有創(chuàng)造性、科學(xué)性、實(shí)用性。應(yīng)立論新穎、論據(jù)充分、數(shù)據(jù)可靠,文責(zé)自負(fù)(嚴(yán)禁抄襲),文字要精煉。
2、《半導(dǎo)體技術(shù)》姓名在文題下按序排列,排列應(yīng)在投稿時(shí)確定。作者姓名、單位、詳細(xì)地址及郵政編碼務(wù)必寫清楚,多作者稿署名時(shí)須征得其他作者同意,排好先后次序,接錄稿通知后不再改動(dòng)。
3、文章要求在2000-2400字符,格式一般要包括:題目、作者及單位、郵編、內(nèi)容摘要、關(guān)鍵詞、正文、參考文獻(xiàn)等。文章標(biāo)題字符要求在20字以內(nèi)。
4、文章中的圖表應(yīng)具有典型性,盡量少而精,表格使用三線表;圖要使用黑線圖,繪出的線條要光滑、流暢、粗細(xì)均勻;計(jì)量單位請(qǐng)以近期國(guó)務(wù)院頒布的《中華人民共和國(guó)法定計(jì)量單位》為準(zhǔn),不得采用非法定計(jì)量單位。
5、為縮短刊出周期和減少錯(cuò)誤,來(lái)稿一律使用word格式,并請(qǐng)?jiān)敿?xì)注明本人詳細(xì)聯(lián)系方式。
6、編輯部對(duì)來(lái)稿有刪修權(quán),不同意刪修的稿件請(qǐng)?jiān)趤?lái)稿中聲明。我刊同時(shí)被國(guó)內(nèi)多家學(xué)術(shù)期刊數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,不同意收錄的稿件,請(qǐng)?jiān)趤?lái)稿中聲明。
半導(dǎo)體技術(shù)雜志簡(jiǎn)介
《半導(dǎo)體技術(shù)》經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn),自1976年創(chuàng)刊,國(guó)內(nèi)刊號(hào)為13-1109/TN,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進(jìn),受到越來(lái)越多的讀者喜愛。
《半導(dǎo)體技術(shù)》以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格,權(quán)威著述,在業(yè)內(nèi)深孚眾望,享譽(yù)中外,對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極的作用。
半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)計(jì)分析
影響因子:指該期刊近兩年文獻(xiàn)的平均被引用率,即該期刊前兩年論文在評(píng)價(jià)當(dāng)年每篇論文被引用的平均次數(shù)
被引半衰期:衡量期刊老化速度快慢的一種指標(biāo),指某一期刊論文在某年被引用的全部次數(shù)中,較新的一半被引論文刊載的時(shí)間跨度
他引率:期刊被他刊引用的次數(shù)占該刊總被引次數(shù)的比例用以測(cè)度某期刊學(xué)術(shù)交流的廣度、專業(yè)面的寬窄以及學(xué)科的交叉程度
引用半衰期:指某種期刊在某年中所引用的全部參考文獻(xiàn)中較新的一半是在最近多少年時(shí)段內(nèi)刊載的
平均引文數(shù):在給定的時(shí)間內(nèi),期刊篇均參考文獻(xiàn)量,用以測(cè)度期刊的平均引文水平,考察期刊吸收信息的能力以及科學(xué)交流程度的高低
半導(dǎo)體技術(shù)參考文獻(xiàn)
SiC MOSFET的短路特性
以SiC MOSFET為代表的功率器件的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷,國(guó)內(nèi)對(duì)SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)技術(shù)研究較少。SiC MOSFET柵極氧化層薄、短路耐量小,由于高頻開關(guān)特性,其對(duì)回路寄生參數(shù)的影響更加敏感,橋臂結(jié)構(gòu)應(yīng)用時(shí)更易因串?dāng)_而引起誤導(dǎo)通,因此快速檢測(cè)并可靠關(guān)斷的短路保護(hù)技術(shù)顯得尤為重要。設(shè)計(jì)了基于FPGA的數(shù)字式SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,實(shí)現(xiàn)...
一種性能指標(biāo)可配置的SAR ADC的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
提出了一種分辨率、電源電壓等性能指標(biāo)可配置的逐次逼近寄存器型(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計(jì)思想和實(shí)現(xiàn)方式。分析了SAR ADC的采樣速率、精度、功耗和能量效率等主要性能指標(biāo)之間的關(guān)系,提出了性能參數(shù)可配置SAR ADC的設(shè)計(jì)構(gòu)想。介紹了性能指標(biāo)可配置SAR ADC的實(shí)現(xiàn)方式,包括分辨率的配置、采樣速率的可變以及電源電壓的可調(diào)等?;?.18μm CMOS...
基于InGaAs蓋革模式APD探測(cè)器的主動(dòng)淬滅電路設(shè)計(jì)
蓋革模式(GM)雪崩光電二極管(APD)探測(cè)器具有單光子級(jí)探測(cè)靈敏度,可廣泛用于三維成像和測(cè)量測(cè)繪等領(lǐng)域。針對(duì)InGaAs基GM-APD,提出一種用于自由模式探測(cè)的主動(dòng)淬滅電路。該電路采用電容積分方式將雪崩電流轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),利用反相器對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)與提取,同時(shí)經(jīng)淬滅支路將雪崩快速淬滅,一定延時(shí)后恢復(fù)支路使APD重新進(jìn)入蓋革狀態(tài);采用施密特觸發(fā)器以...
金剛石基GaN HEMT技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)
采用金剛石襯底可顯著提升GaN微波功率器件的散熱能力,從而制作尺寸更小、功率更高的金剛石基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)器件。介紹了金剛石基GaN HEMT技術(shù)優(yōu)勢(shì)。綜述了金剛石基GaN HEMT的金剛石襯底生長(zhǎng)、金剛石與GaN HEMT層結(jié)合、金剛石/GaN界面優(yōu)化等制造技術(shù)的研發(fā)現(xiàn)狀,并概述了金剛石基GaN微波功率器件的最新研究進(jìn)展。最后分析了金剛石...
熱門評(píng)論
加急審稿約1個(gè)月,結(jié)果退修重審,給修改期限1個(gè)月,到期限時(shí)返回修改稿,重審約1個(gè)月,用時(shí)三個(gè)月錄用。錄用證明有發(fā)表時(shí)間。總體來(lái)說(shuō)是一次比較滿意的投稿經(jīng)歷。
半導(dǎo)體技術(shù)把關(guān)較嚴(yán),修稿后,一般會(huì)經(jīng)過主任審查和主編審閱兩關(guān)。主編往往還會(huì)提些問題。保證論文質(zhì)量。實(shí)際上,從投稿,到發(fā)表基本上一內(nèi)搞定,我以往論文大概是7-11個(gè)月內(nèi)發(fā)表。
半導(dǎo)體技術(shù)雜志編輯和審稿人負(fù)責(zé)認(rèn)真,效率高,大家對(duì)這本雜志比較看重,審稿也是很仔細(xì),給我得審稿意見,是非常的行內(nèi)人的意見。對(duì)自己的提高很有幫助。最后要說(shuō)的是,我覺得自己還是挺幸運(yùn)的。
以前中過一篇,半導(dǎo)體技術(shù)在座的審稿速度非???,就2個(gè)月左右,修改稿上傳后直接錄用。給我印象就是審稿還是很專業(yè)的,一個(gè)審稿人,因?yàn)楝F(xiàn)在中國(guó)人搞學(xué)術(shù)水平已經(jīng)很高了,所以國(guó)內(nèi)審稿人的水平就很高,給的意見的水平也是一流。對(duì)文章提升很大。校稿的時(shí)候編輯還主動(dòng)電話聯(lián)系我討論文章格式問題,非常負(fù)責(zé)而且很高效!
綜合來(lái)說(shuō)半導(dǎo)體技術(shù)雜志的審稿人還是比較認(rèn)真的,給修改的也比較仔細(xì),對(duì)創(chuàng)新性要求還算比較高吧,但是說(shuō)結(jié)果是可以預(yù)見的有點(diǎn)勉強(qiáng)。推薦除非有比較好的創(chuàng)新性,否則換個(gè)別的雜志吧!
半導(dǎo)體技術(shù)雜志很好的期刊,編輯辦事效率還是挺快的,比較負(fù)責(zé),審稿意見給的很專業(yè)認(rèn)真,兩次修改后錄用了,第一次是內(nèi)容稍加修改,第二次是格式修改,總體而言是非常不錯(cuò)的期刊!
半導(dǎo)體技術(shù)雜志總體審稿速度蠻快的,我投了一篇文章,從投稿到采用差不多1個(gè)月的時(shí)間。審稿很認(rèn)真,意見比較到位,對(duì)文章新穎性要求較高,編輯態(tài)度很好,還是不錯(cuò)的雜志,好評(píng)好評(píng)。
我是1月份投的稿,4月份錄用的,中間修改過幾次,整個(gè)周期還是比較快的,約2個(gè)多月吧。個(gè)人感覺,這個(gè)期刊老師比較認(rèn)真負(fù)責(zé),審稿后很快有意見,修改稿發(fā)回去后也很快有反饋,效率很高。
總體來(lái)說(shuō),這本雜志的審稿是非常嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?,之前被拒一篇,審稿專家給出了具體的審稿意見,比其它很多雜志認(rèn)真許多。后來(lái)重新投了一篇,從投稿到修改都比較順暢,審稿老師讓我印象深刻,審稿人的確是認(rèn)真看了稿件的,這點(diǎn)說(shuō)明是非常尊重投稿者的。
半導(dǎo)體技術(shù)比較看重文章的創(chuàng)新性和實(shí)用價(jià)值。編輯部效率很高態(tài)度很好,而且可以電話催稿。專家提出的問題還是很有水平的??梢哉f(shuō)幫我把文章質(zhì)量提升了不少。
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更多常見問題
Q:論文發(fā)表的時(shí)候可以一稿多投嗎? |
A:一稿多投的行為是典型的學(xué)術(shù)不端的行為,是國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界都明令禁止的行為,原因主要在于涉及到文章版權(quán)歸屬的問題,如果作者的文章已經(jīng)被某個(gè)雜志社錄用,或者同時(shí)被兩家雜志社錄用,就會(huì)涉及到版權(quán)糾紛,作為雜志社都會(huì)保護(hù)本社的合法權(quán)益,到這時(shí)作者就會(huì)比較麻煩,吃官司都是小事兒了,被打入黑名單降級(jí)降職影響可就太大了。 |
Q:職稱論文發(fā)表對(duì)時(shí)間有限制嗎? |
A:職稱論文發(fā)表并沒有明確規(guī)定截止時(shí)間,需要作者結(jié)合自己所在地區(qū)的具體規(guī)定自己安排發(fā)表時(shí)間,一般職稱評(píng)審,各地區(qū)都會(huì)明確規(guī)定申報(bào)材料的最后期限和截止日期,我們結(jié)合這個(gè)日期來(lái)考慮何時(shí)發(fā)表文章就可以,大部分地區(qū)職稱評(píng)審都集中在每年的8-10月之間,有的地區(qū)要求7月中旬開始交材料,最晚8月底之前,有的則是要求8月中旬交,還有部分地區(qū)要求截止時(shí)間為申報(bào)時(shí)間上年的12月31日,所以,各個(gè)地區(qū)的具體要求并不同,申報(bào)者需要在提交材料前確保自己的文章已經(jīng)見刊并且被相應(yīng)的數(shù)據(jù)庫(kù)檢索即可。 |
Q:網(wǎng)上發(fā)表論文如何防騙?可靠網(wǎng)站與可疑網(wǎng)站如何區(qū)分? |
A:由于發(fā)表論文的需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于雜志版面的供應(yīng),再加上眾所周知的審稿難!審稿慢!選擇論文發(fā)表網(wǎng)站發(fā)表表論文確實(shí)能解決以上問題。賣方市場(chǎng)的出現(xiàn)加之發(fā)表論文的剛性需求,就導(dǎo)致出現(xiàn)先付款后發(fā)表的現(xiàn)狀。論文發(fā)表網(wǎng)站正規(guī)與否是通過網(wǎng)站從始至終所提供服務(wù)體現(xiàn)出來(lái)的,任何交易只要存在時(shí)間差都會(huì)有風(fēng)險(xiǎn),但這個(gè)風(fēng)險(xiǎn)是可以通過您的智慧來(lái)避免的。因?yàn)椴皇撬姓撐木W(wǎng)站都是騙子,你要做的就是過濾掉沒保障的網(wǎng)站,選擇可靠的論文發(fā)表網(wǎng)站! |
Q:一般期刊需要提前多久準(zhǔn)備? |
A:省級(jí)、國(guó)家級(jí)期刊建議至少提前6個(gè)月準(zhǔn)備。一般來(lái)講,雜志社為了確保每期雜志正常出刊,都會(huì)提前將當(dāng)期之后1-3個(gè)月的稿件提前安排好,而一些創(chuàng)刊較早,認(rèn)可度更高的熱門期刊,來(lái)稿量較大,發(fā)表周期可能就會(huì)更久。提前準(zhǔn)備,意味著雜志的可選擇性更多。 |
Q:核心期刊需要提前多久準(zhǔn)備? |
A:核心期刊建議至少提前12個(gè)月準(zhǔn)備,核心期刊正常的審稿周期為1-3個(gè)月,且審核嚴(yán)格,退稿、返修幾率更大,這意味著在流程上耗費(fèi)的時(shí)間更久,且核心期刊版面有限,投稿競(jìng)爭(zhēng)更加激烈,即使被錄用,排刊也比普通期刊晚很多,因此需要更早準(zhǔn)備。 |