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加急見(jiàn)刊

SiC MOSFET的短路特性

高勇; 喬小可; 孟昭亮; 楊媛 西安工程大學(xué)電子信息學(xué)院; 西安710048; 西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院; 西安710048

摘要：以SiC MOSFET為代表的功率器件的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷,國(guó)內(nèi)對(duì)SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)技術(shù)研究較少。SiC MOSFET柵極氧化層薄、短路耐量小,由于高頻開(kāi)關(guān)特性,其對(duì)回路寄生參數(shù)的影響更加敏感,橋臂結(jié)構(gòu)應(yīng)用時(shí)更易因串?dāng)_而引起誤導(dǎo)通,因此快速檢測(cè)并可靠關(guān)斷的短路保護(hù)技術(shù)顯得尤為重要。設(shè)計(jì)了基于FPGA的數(shù)字式SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,實(shí)現(xiàn)了短路保護(hù)盲區(qū)時(shí)間易于調(diào)整。搭建了第一類短路測(cè)試平臺(tái)并對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行了短路測(cè)試,分析了漏源極電壓退飽和保護(hù)及短路測(cè)試平臺(tái)原理,在此基礎(chǔ)上研究了柵極電阻、柵源極電壓等外部參數(shù)對(duì)SiC MOSFET短路特性的影響,為SiC MOSFET器件的應(yīng)用及驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)提供了一定的指導(dǎo)。

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