SiC MOSFET的短路特性
摘要：以SiC MOSFET為代表的功率器件的驅動及保護技術長期被國外壟斷,國內對SiC MOSFET的驅動保護技術研究較少。SiC MOSFET柵極氧化層薄、短路耐量小,由于高頻開關特性,其對回路寄生參數的影響更加敏感,橋臂結構應用時更易因串擾而引起誤導通,因此快速檢測并可靠關斷的短路保護技術顯得尤為重要。設計了基于FPGA的數字式SiC MOSFET驅動保護電路,實現了短路保護盲區時間易于調整。搭建了第一類短路測試平臺并對SiC MOSFET進行了短路測試,分析了漏源極電壓退飽和保護及短路測試平臺原理,在此基礎上研究了柵極電阻、柵源極電壓等外部參數對SiC MOSFET短路特性的影響,為SiC MOSFET器件的應用及驅動器的設計提供了一定的指導。
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