金剛石基GaN HEMT技術發展現狀和趨勢
摘要：采用金剛石襯底可顯著提升GaN微波功率器件的散熱能力,從而制作尺寸更小、功率更高的金剛石基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)器件。介紹了金剛石基GaN HEMT技術優勢。綜述了金剛石基GaN HEMT的金剛石襯底生長、金剛石與GaN HEMT層結合、金剛石/GaN界面優化等制造技術的研發現狀,并概述了金剛石基GaN微波功率器件的最新研究進展。最后分析了金剛石基GaN HEMT制造技術面臨的挑戰和未來的發展趨勢,表明制作低成本大尺寸金剛石襯底材料、提升GaN/金剛石界面熱阻以及大幅提升金剛石基GaN器件的性能并在射頻功率器件領域實現商用將是未來發展的重點。
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