940nm大功率半導體激光器后工藝優(yōu)化
摘要：波長為940nm的大功率半導體激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。為了制備高輸出功率的940nm半導體激光器,基于非對稱超大光腔波導外延結構,對芯片后制備工藝進行了優(yōu)化。在芯片的側向,引入了隔離雙溝結構,以實現(xiàn)對側向電流擴展的有效抑制,從而提高器件的性能。通過優(yōu)化雙溝的間距和深度,并結合長腔長結構,制備的940nm半導體激光器在室溫且未采取任何主動散熱的條件下,最高出光功率達到20.3W。
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