高性能折疊Ⅰ型柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管
摘要：為順應(yīng)集成電路設(shè)計對器件提出更高性能要求的趨勢,提出一種高性能折疊Ⅰ型柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管, 主要研究此類產(chǎn)品在不同柵極長度下的電學(xué)特性, 討論柵極的幾何形狀改變對器件性能產(chǎn)生的影響.通過與普通的雙柵、 三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管的仿真結(jié)果的對比, 突出 FIG JL FET在電學(xué)性能上所具備的優(yōu)勢, 并給出柵極設(shè)計參數(shù)的最佳優(yōu)化方案.仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明, 相比于其他的柵型結(jié)構(gòu), 折疊Ⅰ型柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管具有更低的反向泄漏電流,Ion-Ioff 比也得到很大提升, 而且?guī)缀鯖]有亞閾值的衰減.作為一款高性能器件, 深具發(fā)展?jié)摿?
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