利用同軸電子全息對納米線中電荷分布的原位定量表征
摘要：納米線及納米管材料常被用于透射電鏡中進行原位偏壓下的電學測試,例如,對其場發(fā)射性能與電學擊穿性質(zhì)的測量,電場下電荷非均勻分布的信息可以使得我們對單根納米線的性質(zhì)做出更加定量的監(jiān)控與判斷。本文作者使用了同軸電子全息的方法,可以簡單快捷地僅從單張離焦像中計算出沿納米線的電荷分布。通過結(jié)合此方法與原位偏壓技術(shù),可以對在電場作用下碳化硅納米線中的電荷分布進行成像,從無偏壓時的均勻分布到受到電場調(diào)制后呈現(xiàn)出增大的梯度均可以被定量算出,且對電荷的靈敏度可優(yōu)于1 e/nm。本方法可以應(yīng)用于原位條件下進行快捷高效的動態(tài)電荷表征。
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