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利用同軸電子全息對(duì)納米線中電荷分布的原位定量表征

劉詩凱; 施特; 陳瓊陽; 翟阿敏; 田鶴; 丁澤軍; 李吉學(xué); 張澤 浙江大學(xué)電子顯微鏡中心、硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、材料科學(xué)與工程學(xué)院; 浙江杭州310027

摘要：納米線及納米管材料常被用于透射電鏡中進(jìn)行原位偏壓下的電學(xué)測(cè)試,例如,對(duì)其場(chǎng)發(fā)射性能與電學(xué)擊穿性質(zhì)的測(cè)量,電場(chǎng)下電荷非均勻分布的信息可以使得我們對(duì)單根納米線的性質(zhì)做出更加定量的監(jiān)控與判斷。本文作者使用了同軸電子全息的方法,可以簡(jiǎn)單快捷地僅從單張離焦像中計(jì)算出沿納米線的電荷分布。通過結(jié)合此方法與原位偏壓技術(shù),可以對(duì)在電場(chǎng)作用下碳化硅納米線中的電荷分布進(jìn)行成像,從無偏壓時(shí)的均勻分布到受到電場(chǎng)調(diào)制后呈現(xiàn)出增大的梯度均可以被定量算出,且對(duì)電荷的靈敏度可優(yōu)于1 e/nm。本方法可以應(yīng)用于原位條件下進(jìn)行快捷高效的動(dòng)態(tài)電荷表征。

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