不同基底對退火制備Ni納米島掩模形貌的影響
摘要：目前,刻蝕自組裝在GaN薄膜上Ni納米島的掩模的方法是制備GaN納米柱陣列常用手段。但是,這將對后續制備出的納米柱產生Ni污染。除此之外,直接將GaN系的材料暴露在高溫下進行Ni納米島掩模的制備,會對GaN材料表面產生一定的熱腐蝕損傷。因此,以GaN、SiO2、Al2O3和SixNy分別為基底,對退火自組裝在這4種基底上的Ni納米島形貌進行了較為系統的研究。發現850℃的退火溫度下,Al2O3基底上Ni薄膜形成的納米島的形貌最為規整,為最優化襯底。
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