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加急見(jiàn)刊

不同基底對(duì)退火制備Ni納米島掩模形貌的影響

薛俊俊; 蔡青; 張保花; 葛梅; 陳將偉 南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

摘要：目前,刻蝕自組裝在GaN薄膜上Ni納米島的掩模的方法是制備GaN納米柱陣列常用手段。但是,這將對(duì)后續(xù)制備出的納米柱產(chǎn)生Ni污染。除此之外,直接將GaN系的材料暴露在高溫下進(jìn)行Ni納米島掩模的制備,會(huì)對(duì)GaN材料表面產(chǎn)生一定的熱腐蝕損傷。因此,以GaN、SiO2、Al2O3和SixNy分別為基底,對(duì)退火自組裝在這4種基底上的Ni納米島形貌進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究。發(fā)現(xiàn)850℃的退火溫度下,Al2O3基底上Ni薄膜形成的納米島的形貌最為規(guī)整,為最優(yōu)化襯底。

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