不同基底對等離子體射流放電及薄膜特性的影響
摘要：等離子體材料表面處理包括等離子體–基底相互作用過程,絕緣或金屬基底的存在會改變等離子體放電和化學氣相沉積過程,進而影響沉積薄膜特性。為此重點研究大氣壓等離子體射流薄膜沉積體系中,等離子體射流激發態粒子和基態OH濃度發展規律,并進一步將等離子體射流放電過程與薄膜特性建立聯系。結果表明:薄膜沉積過程中,檢測到Ar、N2以及OH相關譜線,有機玻璃(PMMA)基底時譜線強度略高;對于OH自由基的相對密度分布,當基底為PMMA時主要分布在管口附近,而當基底為銅(Cu)時分布在管口與基底間的整個空間區域,并且TEOS的含量增加使得其分解形成的中間產物增加,進而增加薄膜沉積速率。此外,不同的材料會造成靠近基底處的場強有較大差異,如PMMA基底處場強基本維持不變,而Cu基底處場強有所增加。通過對薄膜成分分析和對比,發現PMMA表面沉積的薄膜氧化程度更高且所含的雜質較少。通過對不同基底上沉積薄膜以及沉積過程的對比和診斷,對于理解并解決在應用中的相關問題具有重大意義。
注: 保護知識產權,如需閱讀全文請聯系高電壓技術雜志社
相關推薦
更多
