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加急見刊

高輸出功率太赫茲量子級聯(lián)激光器與溫度特性

林宗澤; 王科; 王利; 平山秀樹 日本國立研究開発法人理化學(xué)研究所光量子工程研究領(lǐng)域太赫茲量子器件研究室; 仙臺980-0845; 日本

摘要：半導(dǎo)體太赫茲量子級聯(lián)激光器（THz QCL）是一種相干性好線寬窄的太赫茲輻射源，有潛力獲得高的輸出功率.采用基于非平衡格林函數(shù)（NEGF）方法的計算工具設(shè)計、生長、制備了基于砷化鎵系材料的THz QCL.在10 K溫度下，峰值功率達到270 mW，平均功率為2.4 mW，單位面積的輸出功率與已報道的最高值相當(dāng).采用NEGF方法對器件的溫度變化特性做了詳細的分析.

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