作者：張振亞; 劉曉麗; 溫小棟 刊期：2018年第05期

提出了一種在150~165 THz區(qū)域內(nèi)的具有單峰吸收特性的高性能超材料吸收器。設(shè)計(jì)的吸波器包含兩個(gè)陣列：雙金屬顆粒陣列和雙空氣孔陣列。金屬層的阻尼常數(shù)在模擬中被優(yōu)化。發(fā)現(xiàn)在模擬中使用2.3倍的阻尼常數(shù)時(shí)，可以獲得最大吸收率96％。吸收峰由局域表面等離子體（LSP）模式共振激發(fā)。為了揭示共振電磁機(jī)理，進(jìn)行了兩組模擬，研究結(jié)構(gòu)參數(shù)變化對(duì)...

作者：楊紅姣; 金湘亮 刊期：2018年第05期

為了進(jìn)一步縮小SPAD探測(cè)器的尺寸，基于0.18μm CMOS圖像傳感器（CIS）工藝對(duì)p-well/DNW（deep n-well）SPAD的保護(hù)環(huán)尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì)，并制造了不同保護(hù)環(huán)尺寸的SPAD器件.測(cè)試結(jié)果表明，保護(hù)環(huán)尺寸減小到0.4μm仍然能有效防止器件發(fā)生過(guò)早邊緣擊穿（PEB），且保護(hù)環(huán)尺寸對(duì)p-well/DNW SPAD器件的暗計(jì)數(shù)率（DCR）和光子探測(cè)概率（PDP）影響較小.直徑為...

作者：張波; 呂龍鋒; 沈京玲 刊期：2018年第05期

研究了利用太赫茲時(shí)間分辨系統(tǒng)研究有機(jī)鹵化物鈣鈦礦薄膜(CH 3NH 3PbI 3 and CH 3NH 3PbI 3-x Cl x)的皮秒尺度的超快太赫茲調(diào)制特性.在光激發(fā)作用下出現(xiàn)了太赫茲透射波的瞬時(shí)下降.相比于CH 3NH 3PbI 3薄膜，在光激發(fā)作用下CH 3NH 3PbI 3-x Cl x薄膜展現(xiàn)了更高的調(diào)制深度（10%）.通過(guò)測(cè)算材料的電導(dǎo)率及載流子濃度，其調(diào)制機(jī)理為瞬態(tài)光激發(fā)載流...

作者：張夢(mèng)炎; 郭振; 孫利杰; 陳杰 刊期：2018年第05期

柔性高效III-V族多結(jié)太陽(yáng)電池正在被開(kāi)發(fā)、應(yīng)用于無(wú)人機(jī)、可穿戴設(shè)備和空間能源等領(lǐng)域.采用MOCVD技術(shù)在GaAs襯底上制備太陽(yáng)電池外延層，之后通過(guò)低溫鍵合和外延層剝離方法將外延層轉(zhuǎn)移到柔性襯底上.通過(guò)外延層剝離設(shè)備設(shè)計(jì)和大量參數(shù)優(yōu)化實(shí)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了GaAs太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)從四英寸砷化鎵晶圓上的有效分離，且不產(chǎn)生缺陷并保持原有的性能.近期，在50μ...

作者：林宗澤; 王科; 王利; 平山秀樹(shù) 刊期：2018年第05期

半導(dǎo)體太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器（THz QCL）是一種相干性好線寬窄的太赫茲輻射源，有潛力獲得高的輸出功率.采用基于非平衡格林函數(shù)（NEGF）方法的計(jì)算工具設(shè)計(jì)、生長(zhǎng)、制備了基于砷化鎵系材料的THz QCL.在10 K溫度下，峰值功率達(dá)到270 mW，平均功率為2.4 mW，單位面積的輸出功率與已報(bào)道的最高值相當(dāng).采用NEGF方法對(duì)器件的溫度變化特性做了詳細(xì)的...