p-well/DNW單光子雪崩二極管保護環的最小化設計
摘要：為了進一步縮小SPAD探測器的尺寸，基于0.18μm CMOS圖像傳感器（CIS）工藝對p-well/DNW（deep n-well）SPAD的保護環尺寸進行設計，并制造了不同保護環尺寸的SPAD器件.測試結果表明，保護環尺寸減小到0.4μm仍然能有效防止器件發生過早邊緣擊穿（PEB），且保護環尺寸對p-well/DNW SPAD器件的暗計數率（DCR）和光子探測概率（PDP）影響較小.直徑為20μm的SPAD器件，溫度為25℃時暗計數率為638 Hz，且波長為530 nm時峰值光子探測概率為16%，具有低的暗計數率特性和寬的光譜響應特性.
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