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加急見(jiàn)刊

p-well/DNW單光子雪崩二極管保護(hù)環(huán)的最小化設(shè)計(jì)

楊紅姣; 金湘亮 湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院; 湖南湘潭411105; 湖南省微光電與系統(tǒng)集成實(shí)驗(yàn)室; 湖南湘潭411105

摘要：為了進(jìn)一步縮小SPAD探測(cè)器的尺寸，基于0.18μm CMOS圖像傳感器（CIS）工藝對(duì)p-well/DNW（deep n-well）SPAD的保護(hù)環(huán)尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì)，并制造了不同保護(hù)環(huán)尺寸的SPAD器件.測(cè)試結(jié)果表明，保護(hù)環(huán)尺寸減小到0.4μm仍然能有效防止器件發(fā)生過(guò)早邊緣擊穿（PEB），且保護(hù)環(huán)尺寸對(duì)p-well/DNW SPAD器件的暗計(jì)數(shù)率（DCR）和光子探測(cè)概率（PDP）影響較小.直徑為20μm的SPAD器件，溫度為25℃時(shí)暗計(jì)數(shù)率為638 Hz，且波長(zhǎng)為530 nm時(shí)峰值光子探測(cè)概率為16%，具有低的暗計(jì)數(shù)率特性和寬的光譜響應(yīng)特性.

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