異質外延碲鎘汞薄膜的位錯抑制技術
摘要：本文簡述了MBE異質外延碲鎘汞薄膜位錯形成機理、位錯在外延層中的演化過程以及位錯抑制理論,總結了國內外CdTe緩沖層的位錯抑制技術、HgCdTe薄膜的位錯抑制技術,分析了熱循環退火技術各個要素與位錯密度變化之間的關系。
注: 保護知識產權,如需閱讀全文請聯系紅外技術雜志社
相關推薦
更多
- 免費咨詢
- 雜志推薦
- 加急見刊
服務特色
-
1
快速見刊
正刊保障,1-3日快速錄用,1-3月快速見刊.
- 2
收費透明
直聯各個雜志編輯部,省去中間商,價格實惠,歡迎比較價格.
- 3
專業保障
編輯老師1對1服務,為您量身定制論文發表策略.
- 4
隱私保護
嚴格保障客戶隱私,可簽署保密協議.
- 5
資金安全
公司運營資質可查,支持對公賬戶.
關于我們
投稿網 是一個免費的論文發表咨詢平臺,收錄刊物均可在國家新聞出版署查詢, 堅決抵制假刊、套刊.我們與上千家雜志社合作,致力于成為雜志社與作者的橋梁,為作者搭建期刊投稿綠色通道.
常見問題
聯系我們
-
地址
四川省成都市天府新區華陽街道
新希望大道二段158號
錦官麗城25棟1單元1層109號
- 免責聲明：本站非任何雜志官網，僅限于收集整理互聯網學術資源信息，直投稿件請聯系雜志社
- 工信部備案 : 蜀ICP備2021003549號-2
- © 四川華文易迅科技有限公司.
- Design: C