碲鎘汞器件光敏元電容測試與分析
摘要：報道了液氮溫度下對HgCdTe器件進行電容測試的方法。標定了儀器寄生電容以及杜瓦寄生電容,并利用該測試結果計算得到PN結區附近的載流子濃度和相應的深度等數據。對比了碲鎘汞常規PN結器件與雪崩光電二極管(APD)器件的耗盡層寬度以及N區載流子濃度。
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