電子束直寫中X射線光刻掩模的熱形變研究
摘要:對X射線掩模電子束制備圖形過程建立三維有限元模型,提出用熱流密度等效法簡化瞬態(tài)熱應(yīng)力計(jì)算,得到了X射線掩模在電子束直寫過程中的瞬態(tài)熱形變.結(jié)果表明,掩模面內(nèi)形變在直寫過程中出現(xiàn)振蕩變化,最大值為8.24 nm,方向背離電子束光照中心,掩模面外形變最大值為9.75μm,方向沿圖形窗口法線方向,并出現(xiàn)在電子束束斑中心.
注: 保護(hù)知識產(chǎn)權(quán),如需閱讀全文請聯(lián)系微細(xì)加工技術(shù)雜志社