5VpMOS器件的熱載流子注入退化機理
摘要：研究了低壓pMOS器件熱載流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化機理,分析了不同的柵壓應力下漏極飽和電流(Idsat)退化出現不同退化趨勢的原因。結合實測數據并以實際樣品為模型進行了器件仿真,研究表明,快界面態會影響pMOS器件遷移率,導致Idsat的降低;而電子注入會降低pMOS器件閾值電壓(Vth),導致Idsat的上升。當柵壓為-7.5V時,界面態的產生是導致退化的主要因素,在柵壓為-2.4V的應力條件下,電子注入在熱載流子退化中占主導作用。
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