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加急見刊

5VpMOS器件的熱載流子注入退化機(jī)理

楊翰琪; 劉小紅; 呂康; 魏家行; 孫偉鋒 東南大學(xué)國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心; 南京210096; 華潤上華半導(dǎo)體有限公司; 江蘇無錫214000

摘要：研究了低壓pMOS器件熱載流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化機(jī)理,分析了不同的柵壓應(yīng)力下漏極飽和電流(Idsat)退化出現(xiàn)不同退化趨勢的原因。結(jié)合實(shí)測數(shù)據(jù)并以實(shí)際樣品為模型進(jìn)行了器件仿真,研究表明,快界面態(tài)會(huì)影響pMOS器件遷移率,導(dǎo)致Idsat的降低;而電子注入會(huì)降低pMOS器件閾值電壓(Vth),導(dǎo)致Idsat的上升。當(dāng)柵壓為-7.5V時(shí),界面態(tài)的產(chǎn)生是導(dǎo)致退化的主要因素,在柵壓為-2.4V的應(yīng)力條件下,電子注入在熱載流子退化中占主導(dǎo)作用。

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