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一種新型的常通型GaN HEMT器件

徐宏慶; 修強(qiáng); 董耀文; 秦海鴻 正德職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與信息技術(shù)系; 南京211106; 南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院; 南京211106

摘要：對新型常通型GaN HEMT器件的特性和參數(shù)進(jìn)行了研究。闡述了其靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及電流崩塌問題。針對其動(dòng)態(tài)特性,與相近定額的Si MOSFET器件(TK2Q60D)在開通、關(guān)斷時(shí)間與柵源電壓的關(guān)系方面進(jìn)行了對比,探討了常通型GaN HEMT器件在不同輸入電壓和不同開關(guān)頻率下的電流崩塌現(xiàn)象,并采用升壓(Boost)電路,對常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工作頻率能力進(jìn)行了對比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,常通型GaN HEMT器件具有更高的工作頻率,且工作頻率的升高不影響電流崩塌現(xiàn)象。

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