雙層石墨烯的化學氣相沉積制備研究綜述
摘要：石墨烯具有很多優異的性質,是非常理想的硅晶體替代材料,有可能徹底改變現在人們的生活,引發新一輪的科技革命。但是單層石墨烯是一種零帶隙的半金屬,在半導體電子器件方面受到很大局限性。AB堆垛雙層石墨烯的帶隙可由外部垂直電場打開,既可用于半導體電子器件領域,又可以大大降低薄膜電阻,用于透明導電薄膜。盡管石墨烯制備方法很多,但受限于成本、質量、規模化等,化學氣相沉積法是制備大面積、高質量雙層石墨烯最主要的手段。綜述了利用化學氣相沉積法制備雙層石墨烯的一系列工作,首先介紹單雙層石墨烯的生長機理,主要根據催化劑類型對鎳、銅、銅鎳合金上石墨烯形核和生長作出解釋;然后從碳源、生長氛圍、催化劑、基底結構等對雙層石墨烯的均勻性、晶疇尺寸和堆垛形式等方面進行分析;最后,總結以上化學氣相沉積法制備雙層石墨烯的工作,并對該領域的發展進行展望。
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