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基于憶阻器的SIMON輪函數(shù)電路設(shè)計(jì)

陳鑫輝; 張會紅; 張躍軍 寧波大學(xué)電路與系統(tǒng)研究所; 浙江寧波315211

摘要：憶阻器由磁通量、電荷、電壓、電流之間關(guān)系對稱性推導(dǎo)得出,被認(rèn)為是繼電阻、電容、電感之后的第四大無源元件,具有記憶功能和非易失性等特點(diǎn).通過對憶阻器工作原理和電路模型的研究,提出了基于憶阻器的SIMON輪函數(shù)電路設(shè)計(jì)方案.該方案首先分析憶阻器模型結(jié)構(gòu)和SIMON算法,設(shè)計(jì)基于憶阻器的與、或、非門電路;并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)基于憶阻器的SIMON輪函數(shù)電路,利用憶阻器的非易失性特性實(shí)現(xiàn)斷點(diǎn)記憶功能;最后在CadenceVirtuoso環(huán)境下,仿真驗(yàn)證所設(shè)計(jì)電路的斷電保存功能.與傳統(tǒng)CMOS電路比較,基于憶阻器的SIMON輪函數(shù)電路減少了27.8%的元器件數(shù)量,低功耗特性明顯.

注: 保護(hù)知識產(chǎn)權(quán),如需閱讀全文請聯(lián)系寧波大學(xué)學(xué)報(bào)雜志社