單分散中空二氧化硅微球的制備
摘要：通過犧牲微米級PS模板原位合成方法制備微米級單分散中空SiO_2微球,著重研究反應溫度（50,70℃）、TEOS用量（2,3,4 g）、氨水用量（1,2,3 mL）與MTC用量（0.2,0.4 g）等參數對中空微球的影響,獲得微米級（1~5μm）、結構（孔徑、壁厚等）可控的單分散中空SiO_2微球的最佳制備工藝,通過掃描電鏡分析（SEM）、透射電鏡分析（TEM）、紅外光譜分析（FT-IR）、熱失重分析（TGA）、氮吸附（BET）等測試手段表征了微球性能。
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