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加急見刊

X波段400 W GaN內匹配功率管

唐世軍; 顧黎明; 陳韜; 彭勁松 南京電子器件研究所; 南京210016

摘要:報道了X波段脈沖輸出功率超過400 W的GaN HEMT內匹配功率管。該器件內部包含了4只14.4mm柵寬GaN HEMT管芯。輸入輸出同時采用了一級L-C阻抗變換和兩級微帶阻抗變換器。該器件在9.0~10.0GHz頻帶內,在漏極電壓為50V、脈沖寬度100μs、占空比10%測試條件下,輸出功率達到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,帶內峰值輸出功率450 W。

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