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0.3～2.0 GHz 100 W GaN超寬帶功率放大器

徐永剛; 楊興; 鐘世昌 南京電子器件研究所; 南京210016

摘要：基于南京電子器件研究所0.25μm GaN HEMT工藝平臺,設(shè)計了一款0.3~2.0GHz 100 W GaN超寬帶功率放大器。GaN HEMT器件的射頻參數(shù)由負(fù)載牽引系統(tǒng)測定,包括最大功率匹配阻抗和最大效率匹配阻抗。放大器用同軸巴倫結(jié)構(gòu)實現(xiàn)超寬帶匹配,用高介電常數(shù)介質(zhì)板材制作匹配電路,實現(xiàn)放大器的小型化。放大器偏置電壓28V,偏置電流0.5A。測試結(jié)果顯示,在0.3~2GHz帶寬內(nèi),放大器小信號增益平坦度小于±1.3dB。典型輸出功率大于100 W,最小輸出功率90 W,飽和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±1.2dB,漏極效率大于50%。

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