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場板結(jié)構(gòu)對AlGaN/GaN HEMT溫度場的影響

邵宏月; 張明蘭; 王影影 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院; 天津300401

摘要：用Silvaco的ATLAS軟件仿真研究了場板結(jié)構(gòu)對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的溫度場分布的影響,分析了場板結(jié)構(gòu)影響器件溫度場分布的可能因素。模擬結(jié)果表明,加入場板結(jié)構(gòu)后,器件溝道二維電子氣濃度減小,電場分布發(fā)生變化,器件柵極漏側(cè)邊緣處的溝道峰值溫度降低。加入柵場板和源場板結(jié)構(gòu)后,場板邊緣處都有一個(gè)新的溫度峰值出現(xiàn),器件的溝道溫度峰值在加入單層和雙層?xùn)艌霭寮霸磮霭搴笥?11K分別下降到487、468和484K,這種降低作用會(huì)隨著柵場板層數(shù)的增加而有所增強(qiáng)。仿真結(jié)果說明場板結(jié)構(gòu)通過改變AlGaN/GaN HEMT器件溝道載流子濃度和電場分布,影響器件內(nèi)部的溫度場分布。優(yōu)化器件的場板結(jié)構(gòu)是提高AlGaN/GaN HEMT的可靠性有效途徑之一。

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