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加急見(jiàn)刊

短溝道MOSFET源漏寄生電阻的二維半解析模型

常紅; 王亞洲; 柯導(dǎo)明 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所; 江蘇無(wú)錫214000; 安徽大學(xué)電子信息工程學(xué)院; 合肥230601

摘要：根據(jù)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的工作原理,在MOSFET的源/漏區(qū)域引入了矩形等效源,提出了源/漏電阻的二維定解問(wèn)題。通過(guò)用分離變量法、傅里葉展開(kāi)和積分方程相結(jié)合建立MOSFET源/漏電阻的二維半解析模型,得到了源/漏電阻與幾何尺寸之間的關(guān)系。該模型避免了數(shù)值分析時(shí)的方程的離散化,且具有較高的精度。計(jì)算和仿真結(jié)果表明,模型計(jì)算出的源/漏電阻阻值接近于Silvaco的仿真值。

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