模擬法描繪靜電場實(shí)驗(yàn)的主要誤差來源分析
摘要：針對靜電場描繪實(shí)驗(yàn)誤差較大的問題,搭建了以上位機(jī)為核心的一維靜電場測量裝置,測量了水盒同心圓電極和微晶同心圓電極沿徑向的電勢分布,針對不同的電介質(zhì),分析了主要誤差的產(chǎn)生根源。結(jié)果表明:用水作電介質(zhì)比用微晶作電介質(zhì)誤差更大。用水作電介質(zhì),最主要的誤差根源是水的電解。用微晶作電介質(zhì),最主要的誤差根源是薄膜的不均勻。本實(shí)驗(yàn)有助于理解靜電場描繪實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,也為靜電場描繪儀的改進(jìn)提供參考。
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