半導體器件輻射效應數值模擬技術研究現狀與發展趨勢
摘要：半導體器件輻射效應數值模擬技術主要研究輻射與材料相互作用的粒子輸運模擬、器件內部輻射感生載流子漂移擴散的器件級模擬及器件性能退化對電路功能影響的電路級模擬等,是抗輻射加固設計和抗輻射性能評估中的關鍵技術。隨著先進微電子技術的快速發展,新材料、新結構和新器件的應用為輻射效應建模與數值仿真帶來了新挑戰。輻射效應數值模擬涉及材料學、電子學和核科學的交叉領域,技術難度大,建模和仿真比較復雜,一些瓶頸問題尚未完全解決。圍繞粒子輸運模擬、器件級輻射效應數值模擬和電路級輻射效應數值模擬3個方面,梳理急需解決的關鍵技術問題,介紹半導體器件輻射效應數值模擬技術的發展趨勢。
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