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仿真大氣中子束流產(chǎn)生靶及引出方向的初步研究

張利英; 倪偉俊; 敬罕濤; 王相綦 中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所; 北京100049; 東莞中子科學(xué)中心; 東莞523803; 強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 西安710024; 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 合肥230029; 廣西師范大學(xué); 桂林541004

摘要：利用FLUKA程序模擬計(jì)算了高能質(zhì)子束打靶產(chǎn)生仿真大氣中子束流時(shí),靶材料、靶結(jié)構(gòu)及入射質(zhì)子能量對(duì)中子能譜的影響。結(jié)果表明,選擇重金屬鉛或鎢作為散裂靶材,不僅中子產(chǎn)額較大,而且當(dāng)質(zhì)子能量大于3 GeV且在引出方向與質(zhì)子入射方向夾角為30°時(shí),中子能譜更接近標(biāo)準(zhǔn)大氣中子能譜。對(duì)中國(guó)散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)第1靶站產(chǎn)生的白光中子束流能譜計(jì)算表明,該能譜適于開展仿真大氣中子在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中引起的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)研究;同時(shí),就能譜形狀而言,未來CSNS第2靶站在引出方向與質(zhì)子入射方向夾角為30°和15°的兩條白光中子束線,更適合開展與大氣中子束流相關(guān)的存儲(chǔ)芯片和高集成電路的單粒子效應(yīng)研究。

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