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加急見(jiàn)刊

超精密掩模臺(tái)位移測(cè)量系統(tǒng)熱漂移研究

云攀攀; 張文濤; 王獻(xiàn)英 桂林電子科技大學(xué)電子工程與自動(dòng)化學(xué)院; 廣西桂林541004; 上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司; 上海201203

摘要：針對(duì)28nm浸沒(méi)式掃描光刻機(jī)掩模臺(tái)的光柵干涉儀位移測(cè)量系統(tǒng),開(kāi)展了系統(tǒng)熱漂移研究,并進(jìn)行了熱漂移測(cè)試實(shí)驗(yàn)與結(jié)果分析。該位移測(cè)量系統(tǒng)采用外差對(duì)稱(chēng)式四細(xì)分的光路設(shè)計(jì)以及柵距為1μm的二維光柵,配合2048倍電子細(xì)分的相位計(jì)數(shù)卡,其系統(tǒng)分辨力達(dá)到了0.12nm。熱漂移測(cè)試結(jié)果顯示:該系統(tǒng)的熱漂移X向?yàn)?7.86nm/K,Y向?yàn)?1.43nm/K。在光刻機(jī)掩模臺(tái)的實(shí)際測(cè)量環(huán)境中,測(cè)量環(huán)境的溫度波動(dòng)穩(wěn)定在5mK以?xún)?nèi),此時(shí)系統(tǒng)的熱漂移X向可以控制在0.09nm以?xún)?nèi),Y向可以控制在0.21nm以?xún)?nèi)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明系統(tǒng)的熱漂移誤差小于1nm,滿(mǎn)足掩模臺(tái)亞納米位移測(cè)量精度需求。

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