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SiO2@DV復(fù)合光子晶體的制備及電致變色性能研究

孟佳意; 何萌; 楊晟; 裴永富; 李昕 北京服裝學院材料科學與工程學院; 服裝材料研究開發(fā)與評價北京市重點實驗室; 北京100029; 北京市紡織納米纖維工程技術(shù)研究中心; 北京100029

摘要：本文采用StOber法制備了單分散SiO，微球。通過垂直沉積組裝成蛋白石結(jié)構(gòu)光子晶體，再利用電化學法在SiO，微球表面生成十二烷基紫精（dodecyl-viologen，簡稱DV），得到核一殼結(jié)構(gòu)的SiO2@DV光子晶體復(fù)合膜．測試了SiO2@DV光子晶體薄膜的反射光譜、循環(huán)伏安曲線、多電位紫外吸收光譜、對比度及響應(yīng)時間等光學、電化學及電致變色性能．結(jié)果表明，SiO，@DV復(fù)合光子晶體薄膜的氧化還原能力比DV好，顏色更加艷麗；相比于DV薄膜16％的對比度，該光子晶體薄膜最大對比度達到20％；DV薄膜的著色響應(yīng)時間和褪色響應(yīng)時間分別為9．08和6．7s，而SiO2@DV光子晶體薄膜的著色響應(yīng)時間和褪色響應(yīng)時間分別為8．34和5．41s，較DV薄膜的著色和褪色響應(yīng)快．將光子晶體結(jié)構(gòu)引入DV中，可得到性能提高的電致變色材料．

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